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IR HEXFET ® MOSFET芯片組將兩相DC

更新時間: 2019-01-07
閱讀量:1760

世界功率管理技術領袖國際整流器公司(International Rectifier,簡稱IR)近日推出兩款新型30V HEXFET® 功率 MOSFET,可將30V/45A兩相同步降壓轉(zhuǎn)換器MOSFET解決方案的輕負載效率提升2%,用來驅(qū)動筆記本電腦及其他高性能計算應用中的Intel和AMD最新型處理器。

    這兩款新型無鉛器件分別是IRF7823PbF和IRF7832ZPbF,通過優(yōu)化傳導、開關和體二極管損耗,可實現(xiàn)最佳的效率和功率密度。兩款器件可用作每相需要一個控制和2個同步MOSFET的兩相同步降壓轉(zhuǎn)換器電路芯片組。這組新型SO-8 MOSFET 還適用于其他采用PWM控制的DC-DC降壓轉(zhuǎn)換器應用。

    IR中國及香港銷售總監(jiān)嚴國富表示:“中低功率水平下,高效率對筆記本電腦非常重要,因為它們是最主流的電池驅(qū)動產(chǎn)品。我們的全新芯片組可以針對這方面的需要,在5-15A的范圍內(nèi)將效率提升2%。新器件還可以降低功率損耗,從而降低系統(tǒng)的工作溫度,這一點對便攜式計算也相當重要。”

    新的芯片組包含一個控制MOSFET和一個同步MOSFET,每個器件都經(jīng)過專門設計,以發(fā)揮其最大效能??刂芃OSFET具有更低的開關損耗(柵電荷),同步MOSFET則具有低傳導損耗(低導通電阻)及低逆向恢復電荷。

    IRF7823PbF是一款經(jīng)過優(yōu)化的控制場效應管(FET),柵電荷(Qg)和柵-漏極電荷(Qgd)都非常低,分別只有9.1nC和3.2nC。

    IRF7832ZPbF對同步FET功能進行了優(yōu)化,4.5V下的典型導通電阻極低,只有3.7mΩ,適用于高達12A的應用環(huán)境。IRF7823PbF和IRF7832ZPbF現(xiàn)在均已供貨。以1萬片訂貨量計算,IRF7823PbF每片0.5美元,IRF7832ZPbF為0.88美元,價格會有所變動。兩種器件均為無鉛產(chǎn)品,符合有害物質(zhì)管理規(guī)定(RoHS)。基本規(guī)格如下:

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